SJ 50033.48-1994 半导体分立器件.2DV8CP型硅微波检波二极管详细规范
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ID： |
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文件大小(MB)： |
0.43 |
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页数： |
10 |
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日期： |
2024-7-27 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033.48-94,半导体分立器件,2DV8CP型硅微波检波二极管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 2DV8CP,silicon microwave detector diode,1994-09-30 发布1994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,下载,中华人民共和国电子行业军用标灌,半导体分立器件,2DV8C?型硅微波检波二极管详细规范 屮5。。33.48-94,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 2DV8cp,silicon microwave detector diode,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 2DV8cp型硅微波检波二极管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范）第1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军和特军,二级,分别用字母GP、GT表示,2引用文件,GB 8570-86 微波二极管测试方法,GJB 33—85 半导体分立器件总规范,GJB 128—85 半导体分立器件试验方法,GJB 1557-92半导体分立器件微波二极管外形尺寸,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为铜,引出端表面应为镀银层。对引出端材料另有要求时,在合同或订货单,中华人民共和国电子工业部!994-09-30发布 !994-12-01实施,1,SJ 50033.48-94,中应明确规定(见6.3),3.2.2 器件结构,外延平面,芯片内引线采用热压焊,反面用髙温金桨与管壳烧结,用餐碗封装后焊接于炮,弹型外壳内,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸按GJB 1557-92的W -15型,见图し,S @ lOi^lAt—1,4.8 . 9d 土ユ 4,21±0.5 .,图1外形图,3.3最大额定值和主要电特性,3.3.1最大额定值,型号,V. Pmf Ek4P Tb J,(V) (mW) (J) (C),2DV8CP 1.0 500 4X10” -55-125 -55-150,3.3.2主要电特性( Ta = 25匕),\极,、限,\,丁S3,9.375GHe,R ヱ 3MH%,(dBm),. R,/= 9.375GHz,Ps = 20jiW,If = 592,(A/W),VSWR,f 工 9 375GHSt,厶,3 1V,(gA),Zvf,IF = 50/iA,9.375GHz,(n),M,ルエ/= 9,375GHf,Ip =,20yW,5G2,型号\,典型值最小值最大值最小值最大值最小值量大值最小值最大值典型值,2DV8CP 50 4.0 一2 2.0 — 10 一1000 60,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 6570及本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定,4质量保证规定,4J抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33的规定,4,2鉴定检验,鉴定检腦按GJB 33的规定,--2 -,SJ 50033.48-94,4.3 筛选（仅对GT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行。超过本规,范表1极限值的器件应予剔除,筛 选,（见 GJB 33 表 2）,试験方法,方法号,测试和试验,3般冲击1051 75~15火 循环10次,4恒定加速度2006 196000m/諸 X、Y 方向各 Imin,5密封1071 粗检漏试验条件C,6高温反偏1038 Ta = 125匕,VR = 0,8V,7中间电檬数洞试表1的A2分组要求,8电老化1038 レ=L5mA %h,9最后测试表1的A2和A4分组.,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定进行,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检験应按GJB 33和本规范表2的规定进行。最后测试应按本规范表4的步骤进行,4.5 检验和试验方法,检验和试验方法应按本规范相应的表3和下列规定,4,5.1牀冲测试,脓冲测试条件应按GJB 128的3.3.2.I的规定,表! A组检验,检験或试験,GB 6570,LTPD 符号,极限值,单位,方法条 件最小值最大值,A1分组,外观和机械检验,GJB 128,2071,5,A2分组,反向电流,电流灵散度,フ丄2,7.5,VR = IV,f H 9.375GHz,ア为=20评,If = 50/xA,5,ム,4.0,10 必,A/W,A3分组,高温工作,反向电流7.1.2,丁ん=125匕,Vr : IV,5,% 100,3,SJ 50033.48-94,续表1,检验或试验,GB 6570,LTPD 符号,极限值,单位,方法条 件最小值最大值,A4分组,电压驻波比7,2.1 / 二 9375GHz,凡二2加W,If 0 50fiA,5,VSWR 20,视频阻抗ハ/F = 50心,f = 9.375GHz,Nyp 1000 Q,表2 B组检睑,检验或试验,GJB 128,LTPD,方法条 件,B1分组,标志的耐久性1022……
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